Výrobca Číslo produktu:
SI3457CDV-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3457CDV-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 5.1A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
8080 Ks Nové Originálne Na Sklade
12915780
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3457CDV-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
74mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
450 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
SI3457
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI3457CDV-T1-E3TR
SI3457CDV-T1-E3-DG
SI3457CDV-T1-E3CT
SI3457CDV-T1-E3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQA405EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
SQ3418AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
