SI3460DV-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SI3460DV-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI3460DV-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventár:

12912321
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI3460DV-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
450mV @ 1mA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
SI3460

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FDC637AN
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12361
ČÍSLO DIELU
FDC637AN-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STT5N2VH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5800
ČÍSLO DIELU
STT5N2VH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDC637BNZ
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
216
ČÍSLO DIELU
FDC637BNZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ6C050UNTR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
40958
ČÍSLO DIELU
RQ6C050UNTR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
NTGS3130NT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1870
ČÍSLO DIELU
NTGS3130NT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI3459DV-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP

vishay-siliconix

SI4487DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 11.6A 8SO

vishay-siliconix

IRFR9310TRLPBF

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

vishay-siliconix

SI2308BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3