SI3469DV-T1-BE3
Výrobca Číslo produktu:

SI3469DV-T1-BE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI3469DV-T1-BE3-DG

Popis:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 5A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventár:

5120 Ks Nové Originálne Na Sklade
12986488
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI3469DV-T1-BE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.14W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SI3469DV-T1-BE3CT
742-SI3469DV-T1-BE3DKR
742-SI3469DV-T1-BE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
goford-semiconductor

G12P10K

P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<

diodes

DMP2070U-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

diodes

DMP2110UFDBQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6