Výrobca Číslo produktu:
SI3493DV-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3493DV-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12918194
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3493DV-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
27mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
SI3493
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI3493BDV-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15439
ČÍSLO DIELU
SI3493BDV-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDC604P
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
912
ČÍSLO DIELU
FDC604P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDC608PZ
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8750
ČÍSLO DIELU
FDC608PZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQD25N06-22L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
SQS482EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
SQA401EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.75A PPAK SC70
