Výrobca Číslo produktu:
SI3552DV-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3552DV-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 2.5A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
6530 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918503
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3552DV-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.15W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Základné číslo produktu
SI3552
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI3552DV-T1-E3TR
Q6936817FL
SI3552DV-T1-E3DKR
SI3552DV-T1-E3CT
SI3552DVT1E3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQS944ENW-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
BUK7K12-60EX
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
BUK7K15-80EX
MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
