Výrobca Číslo produktu:
SI3983DV-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3983DV-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6TSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12919645
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3983DV-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.1A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
830mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Základné číslo produktu
SI3983
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI3983DV-T1-E3CT
SI3983DV-T1-E3TR
SI3983DV-T1-E3DKR
SI3983DVT1E3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7962DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO8
SI5999EDU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI7842DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
