Výrobca Číslo produktu:
SI4108DY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4108DY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 20.5A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12914377
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4108DY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.5A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2100 pF @ 38 V
Funkcia FET
-
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4108
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4108DY-T1-GE3CT
SI4108DYT1GE3
SI4108DY-T1-GE3TR
SI4108DY-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMT6010LSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5713
ČÍSLO DIELU
DMT6010LSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR9210TRR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
SI4636DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
IRLU014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
