SI4116DY-T1-E3

Výrobca Číslo produktu:

SI4116DY-T1-E3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI4116DY-T1-E3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

Podrobný popis:

N-Channel 25 V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

Online RFQ

12914035

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

SI4116DY-T1-E3 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

TrenchFET®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

25 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

18A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

2.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

8.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

56 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±12V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1925 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-SOIC

Balenie / puzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Základné číslo produktu

SI4116

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

SI4116DY-T1-E3-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

SI4116DY-T1-E3DKR

SI4116DY-T1-E3-DG

SI4116DY-T1-E3TR

SI4116DY-T1-E3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

SI4860DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

vishay-siliconix

IRFS11N50ATRL

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

littelfuse

IXTP3N60P

MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR024TRPBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK