Výrobca Číslo produktu:
SI4228DY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4228DY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
3765 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918133
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4228DY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
790pF @ 12.5V
Výkon - Max
3.1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4228
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4228DY-T1-GE3CT
SI4228DYT1GE3
SI4228DY-T1-GE3TR
SI4228DY-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI5903DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET