SI4362BDY-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SI4362BDY-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI4362BDY-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 29A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 29A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

12918981
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI4362BDY-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 19.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4800 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 6.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4362

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRF8736TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11359
ČÍSLO DIELU
IRF8736TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF8734TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
162090
ČÍSLO DIELU
IRF8734TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF7832TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13071
ČÍSLO DIELU
IRF7832TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF7831TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
17954
ČÍSLO DIELU
IRF7831TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS8870
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2621
ČÍSLO DIELU
FDS8870-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.66
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

vishay-siliconix

SIRA10BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI5415AEDU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK

vishay-siliconix

SI5480DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK