SI4396DY-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SI4396DY-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI4396DY-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

378 Ks Nové Originálne Na Sklade
12917213
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI4396DY-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1675 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4396

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4396DYT1GE3
SI4396DY-T1-GE3DKR
SI4396DY-T1-GE3CT
SI4396DY-T1-GE3TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FDS8878
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
570614
ČÍSLO DIELU
FDS8878-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.20
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF7807ZTRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4903
ČÍSLO DIELU
IRF7807ZTRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS3E095BNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
RS3E095BNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS6690A
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4652
ČÍSLO DIELU
FDS6690A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BSO110N03MSGXUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7364
ČÍSLO DIELU
BSO110N03MSGXUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI1470DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6

vishay-siliconix

SI1021R-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A

vishay-siliconix

SI2307BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

SIR808DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8