Výrobca Číslo produktu:
SI4425DDY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4425DDY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
117614 Ks Nové Originálne Na Sklade
12912700
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4425DDY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2610 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4425
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4425DDY-T1-GE3DKR
SI4425DDY-T1-GE3CT
SI4425DDY-T1-GE3TR
SI4425DDYT1GE3
SI4425DDY-T1-GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI1039X-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
SI3430DV-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
IRFR9214TRPBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
