Výrobca Číslo produktu:
SI4435FDY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4435FDY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
24208 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918003
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4435FDY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen III
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
19mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1500 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
4.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4435
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4435FDY-T1-GE3DKR
SI4435FDY-T1-GE3TR
SI4435FDY-T1-GE3CT
SI4435FDY-T1-GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS84_D87Z
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
SQJA46EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SI4451DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
