Výrobca Číslo produktu:
SI4464DY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4464DY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
494 Ks Nové Originálne Na Sklade
12912962
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4464DY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4464
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4464DY-T1-E3TR
SI4464DY-T1-E3CT
SI4464DY-T1-E3DKR
SI4464DYT1E3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF7465TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19748
ČÍSLO DIELU
IRF7465TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS2734
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12237
ČÍSLO DIELU
FDS2734-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF840LCSTRL
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
