Výrobca Číslo produktu:
SI4800BDY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4800BDY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
4805 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918549
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4800BDY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±25V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4800
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4800BDY-T1-E3CT
SI4800BDY-T1-E3TR
SI4800BDYT1E3
SI4800BDY-T1-E3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIJ458DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI4386DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
2SK4066-E
MOSFET N-CH 60V 100A SMP
