Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
SI4804BDY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4804BDY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
Online RFQ
12917966
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
2
s
8
W
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4804BDY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.7A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4804
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
SI4804BDY-T1-GE3-DG
Technické listy
SI4804BDY-T1-GE3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSO220N03MDGXUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15156
ČÍSLO DIELU
BSO220N03MDGXUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STS10DN3LH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11163
ČÍSLO DIELU
STS10DN3LH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN3024LSD-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
72255
ČÍSLO DIELU
DMN3024LSD-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF7904TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4573
ČÍSLO DIELU
IRF7904TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN3033LSDQ-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2403
ČÍSLO DIELU
DMN3033LSDQ-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ260EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
SQJ962EP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
SI4816DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC