Výrobca Číslo produktu:
SI4838BDY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4838BDY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 12 V 34A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
48 Ks Nové Originálne Na Sklade
12919072
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4838BDY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
34A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
84 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5760 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4838
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4838BDY-T1-GE3TR
SI4838BDY-T1-GE3DKR
SI4838BDY-T1-GE3CT
SI4838BDYT1GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMG4407SSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20733
ČÍSLO DIELU
DMG4407SSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4354DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
SI4829DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA
