Výrobca Číslo produktu:
SI4874BDY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4874BDY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
11474 Ks Nové Originálne Na Sklade
12913537
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4874BDY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3230 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4874
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4874BDYT1E3
SI4874BDY-T1-E3CT
SI4874BDY-T1-E3DKR
SI4874BDY-T1-E3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTX400N15X4
MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247
IRFR210TR
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
SI7430DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
