Výrobca Číslo produktu:
SI4916DY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4916DY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12915827
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4916DY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
LITTLE FOOT®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A, 10.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
3.3W, 3.5W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4916
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI4816BDY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SI4816BDY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.63
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS8984
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
42685
ČÍSLO DIELU
FDS8984-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
SQJQ960EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
SQ9945AEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
