Výrobca Číslo produktu:
SI4992EY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4992EY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 75V 3.6A 1.4W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12917375
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4992EY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
48mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.4W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4992
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4992EY-T1-GE3TR
SI4992EY-T1-GE3DKR
SI4992EY-T1-GE3CT
SI4992EYT1GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STS4DNF60L
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10803
ČÍSLO DIELU
STS4DNF60L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.90
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS3890
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FDS3890-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.70
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
AO4828
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
AO4828-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI1988DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
SI3585DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
SQJ912AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
