Výrobca Číslo produktu:
SI5402DC-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI5402DC-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventár:
12915701
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI5402DC-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
1206-8 ChipFET™
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Základné číslo produktu
SI5402
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUM110N04-2M3L-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
BUK6607-55C,118
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
SI5447DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
