Výrobca Číslo produktu:
SI5424DC-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI5424DC-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventár:
12966320
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI5424DC-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
24mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
950 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
1206-8 ChipFET™
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Základné číslo produktu
SI5424
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI5424DC-T1-E3DKR
SI5424DC-T1-E3CT
SI5424DCT1E3
SI5424DC-T1-E3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI5424DC-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4706
ČÍSLO DIELU
SI5424DC-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
NTHS4166NT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
461
ČÍSLO DIELU
NTHS4166NT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
SI5402BDC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
