Výrobca Číslo produktu:
SI5441BDC-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI5441BDC-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventár:
12917970
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI5441BDC-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
1206-8 ChipFET™
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Základné číslo produktu
SI5441
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI5441BDC-T1-E3TR
SI5441BDCT1E3
SI5441BDC-T1-E3DKR
SI5441BDC-T1-E3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUD50N10-18P-E3
MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
SI5447DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
