Výrobca Číslo produktu:
SI5904DC-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI5904DC-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventár:
12917052
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI5904DC-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.1A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SMD, Flat Lead
Balík zariadení dodávateľa
1206-8 ChipFET™
Základné číslo produktu
SI5904
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI5904DCT1GE3
SI5904DC-T1-GE3CT
SI5904DC-T1-GE3TR
SI5904DC-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI5908DC-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
27807
ČÍSLO DIELU
SI5908DC-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
NTHD4508NT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
314
ČÍSLO DIELU
NTHD4508NT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.68
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI1024X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
SI3850ADV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
SIB912DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC75-6L