Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
SI6968BEDQ-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI6968BEDQ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Inventár:
1857 Ks Nové Originálne Na Sklade
12959587
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI6968BEDQ-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.2A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-TSSOP
Základné číslo produktu
SI6968
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
SI6968BEDQ-T1-GE3-DG
Technické listy
SI6968BEDQ-T1-GE3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI6968BEDQ-T1-GE3TR
SI6968BEDQT1GE3
SI6968BEDQ-T1-GE3DKR
SI6968BEDQ-T1-GE3-DG
SI6968BEDQ-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN2040LTS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2432
ČÍSLO DIELU
DMN2040LTS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO
SI4943BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
SI7872DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
SI7958DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO8