Výrobca Číslo produktu:
SI7117DN-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7117DN-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Podrobný popis:
P-Channel 150 V 2.17A (Tc) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
7500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12965576
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7117DN-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
510 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SI7117
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7117DN-T1-E3DKR
SI7117DN-T1-E3TR
SI7117DNT1E3
SI7117DN-T1-E3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI3473DDV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
PJA3409_R1_00001
SOT-23, MOSFET
ISC0703NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
