Výrobca Číslo produktu:
SI7174DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7174DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
4800 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916961
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7174DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2770 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7174
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7174DP-T1-GE3CT
SI7174DP-T1-GE3TR
SI7174DPT1GE3
SI7174DP-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7407DN-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
SQJA70EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
