Výrobca Číslo produktu:
SI7212DN-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7212DN-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventár:
14319 Ks Nové Originálne Na Sklade
12912510
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7212DN-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
36mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.3W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8 Dual
Základné číslo produktu
SI7212
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7212DN-T1-E3TR
SI7212DNT1E3
SI7212DN-T1-E3CT
SI7212DN-T1-E3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI1967DH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
SI7949DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
SI1033X-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
