Výrobca Číslo produktu:
SI7216DN-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7216DN-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventár:
17865 Ks Nové Originálne Na Sklade
12913564
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7216DN-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
32mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
670pF @ 20V
Výkon - Max
20.8W
Prevádzková teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8 Dual
Základné číslo produktu
SI7216
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7216DNT1E3
SI7216DN-T1-E3TR
SI7216DN-T1-E3DKR
SI7216DN-T1-E3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4288DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
SI4948BEY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
SI7922DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212