Výrobca Číslo produktu:
SI7228DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7228DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 26A 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventár:
12914238
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7228DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
480pF @ 15V
Výkon - Max
23W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8 Dual
Základné číslo produktu
SI7228
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7228DN-T1-GE3-DG
SI7228DN-T1-GE3CT
SI7228DNT1GE3
SI7228DN-T1-GE3DKR
SI7228DN-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
HS8K11TB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1372
ČÍSLO DIELU
HS8K11TB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4942DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8SOIC
SI6544BDQ-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8TSSOP
SI9945AEY-T1
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
