Výrobca Číslo produktu:
SI7230DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7230DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
12914742
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7230DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SI7230
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ3E100MNTB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5261
ČÍSLO DIELU
RQ3E100MNTB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E080BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
40431
ČÍSLO DIELU
RQ3E080BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IRFL210PBF
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
BUK7520-55A,127
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
