Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
SI7252DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7252DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventár:
Online RFQ
12914691
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7252DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
36.7A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1170pF @ 50V
Výkon - Max
46W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8 Dual
Základné číslo produktu
SI7252
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
SI7252DP-T1-GE3-DG
Technické listy
SI7252DP-T1-GE3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7252DP-T1-GE3DKR
SI7252DP-T1-GE3TR
SI7252DPT1GE3
SI7252DP-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SP8K52FRATB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2460
ČÍSLO DIELU
SP8K52FRATB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SH8KA7GZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
SH8KA7GZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SH8K37GZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2356
ČÍSLO DIELU
SH8K37GZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMD5838NLR2G
MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
SI4230DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI5515DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A/3A 1206-8
SI6924AEDQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP