Výrobca Číslo produktu:
SI7366DP-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7366DP-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 13A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12912865
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7366DP-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.7W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7366
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7366DP-T1-E3CT
SI7366DPT1E3
SI7366DP-T1-E3DKR
SI7366DP-T1-E3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STL65N3LLH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3727
ČÍSLO DIELU
STL65N3LLH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.67
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STL66N3LLH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STL66N3LLH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIR424DP-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
SIR424DP-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4430BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IXTU01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
IRF9Z34STRL
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK