Výrobca Číslo produktu:
SI7414DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7414DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 5.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
12098 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916863
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7414DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SI7414
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7414DN-T1-GE3TR
SI7414DN-T1-GE3CT
SI7414DNT1GE3
SI7414DN-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUM90140E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
SIR460DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIHP38N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
