SI7455DP-T1-E3
Výrobca Číslo produktu:

SI7455DP-T1-E3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI7455DP-T1-E3-DG

Popis:

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Podrobný popis:
P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

12919542
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI7455DP-T1-E3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5160 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7455

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHH27N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHF12N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

vishay-siliconix

SIRA84BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 22A/70A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI7403BDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8