Výrobca Číslo produktu:
SI7478DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7478DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
4624 Ks Nové Originálne Na Sklade
12913849
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7478DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.9W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7478
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7478DPT1GE3
SI7478DP-T1-GE3DKR
SI7478DP-T1-GE3CT
SI7478DP-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFQ30N60X
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI4122DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO