Výrobca Číslo produktu:
SI7501DN-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7501DN-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventár:
12918051
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7501DN-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel, Common Drain
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.4A, 4.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.6W
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8 Dual
Základné číslo produktu
SI7501
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7501DN-T1-E3TR
SI7501DNT1E3
SI7501DN-T1-E3CT
SI7501DN-T1-E3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SQJQ980EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8
SI4816DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC