SI7613DN-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SI7613DN-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI7613DN-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventár:

52730 Ks Nové Originálne Na Sklade
12913391
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI7613DN-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2620 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SI7613

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7613DN-T1-GE3TR
SI7613DNT1GE3
SI7613DN-T1-GE3DKR
SI7613DN-T1-GE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFIB7N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3

vishay-siliconix

SI7110DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI5481DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK

vishay-siliconix

IRLL110

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223