Výrobca Číslo produktu:
SI7615ADN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7615ADN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
68070 Ks Nové Originálne Na Sklade
12912686
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7615ADN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5590 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SI7615
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7615ADN-T1-GE3TR
SI7615ADN-T1-GE3DKR
SI7615ADN-T1-GE3CT
SI7615ADNT1GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI5471DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
BVSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
SI4874BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
