Výrobca Číslo produktu:
SI7615CDN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7615CDN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
3 Ks Nové Originálne Na Sklade
12914159
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7615CDN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen III
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3860 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SI7615
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7615CDN-T1-GE3TR
SI7615CDN-T1-GE3CT
SI7615CDN-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TPN4R712MD,L1Q
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7052
ČÍSLO DIELU
TPN4R712MD,L1Q-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFU9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
IRLZ24LPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
SI3495DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
