Výrobca Číslo produktu:
SI7720DN-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7720DN-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventár:
12914325
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7720DN-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
SkyFET®, TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1790 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Prevádzková teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® 1212-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® 1212-8
Základné číslo produktu
SI7720
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7720DNT1GE3
SI7720DN-T1-GE3DKR
SI7720DN-T1-GE3TR
SI7720DN-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ3E100MNTB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5261
ČÍSLO DIELU
RQ3E100MNTB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E080BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
40431
ČÍSLO DIELU
RQ3E080BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFU9214PBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
IXTP100N04T2
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
IRL540STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
