Výrobca Číslo produktu:
SI7784DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7784DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12960146
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7784DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1600 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7784
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7784DP-T1-GE3CT
SI7784DP-T1-GE3TR
SI7784DP-T1-GE3DKR
SI7784DPT1GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STL65N3LLH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3727
ČÍSLO DIELU
STL65N3LLH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.67
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STL66N3LLH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STL66N3LLH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
CSD17552Q5A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4929
ČÍSLO DIELU
CSD17552Q5A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4136DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
IRFR9210TRPBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
