Výrobca Číslo produktu:
SI7858ADP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7858ADP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 12 V 20A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
2832 Ks Nové Originálne Na Sklade
12919421
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7858ADP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5700 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.9W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7858
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7858ADP-T1-GE3CT
SI7858ADPT1GE3
SI7858ADP-T1-GE3DKR
SI7858ADP-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI7858ADP-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5150
ČÍSLO DIELU
SI7858ADP-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.05
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJA60EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
SUD40N02-08-E3
MOSFET N-CH 20V 40A TO252
SUM60N10-17-E3
MOSFET N-CH 100V 60A TO263
