Výrobca Číslo produktu:
SI7872DP-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7872DP-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventár:
12913511
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7872DP-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
LITTLE FOOT®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.4A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.4W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8 Dual
Základné číslo produktu
SI7872
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7872DP-T1-E3TR
SI7872DP-T1-E3DKR
SI7872DPT1E3
SI7872DP-T1-E3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIR770DP-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIR770DP-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STL40DN3LLH5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
STL40DN3LLH5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.49
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4816BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
SI7960DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
SI4539ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
