Výrobca Číslo produktu:
SI7888DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7888DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12959873
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7888DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7888
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD17327Q5A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
CSD17327Q5A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1E130GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1178
ČÍSLO DIELU
RS1E130GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIR172ADP-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2689
ČÍSLO DIELU
SIR172ADP-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
IRFI620G
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
IRFB11N50A
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
