Výrobca Číslo produktu:
SI8424CDB-T1-E1
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI8424CDB-T1-E1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Podrobný popis:
N-Channel 8 V 6.3A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventár:
2000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920216
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI8424CDB-T1-E1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
8 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
800mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2340 pF @ 4 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
4-Microfoot
Balenie / puzdro
4-UFBGA, WLCSP
Základné číslo produktu
SI8424
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI8424CDB-T1-E1CT
SI8424CDBT1E1
SI8424CDB-T1-E1DKR
SI8424CDB-T1-E1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIE864DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK
SIHF12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
SIJA54DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
