Výrobca Číslo produktu:
SI8472DB-T2-E1
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI8472DB-T2-E1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 3.3A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1x1)
Inventár:
12928 Ks Nové Originálne Na Sklade
12919922
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI8472DB-T2-E1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
900mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
630 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
780mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
4-MICRO FOOT® (1x1)
Balenie / puzdro
4-UFBGA
Základné číslo produktu
SI8472
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI8472DB-T2-E1TR
SI8472DB-T2-E1-DG
SI8472DB-T2-E1CT
SI8472DB-T2-E1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIA425EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SI7120DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
SIE822DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
