Výrobca Číslo produktu:
SIA406DJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIA406DJ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
Podrobný popis:
N-Channel 12 V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventár:
12786405
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIA406DJ-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1380 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základné číslo produktu
SIA406
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIA406DJ-T1-GE3DKR
SIA406DJT1GE3
SIA406DJ-T1-GE3TR
SIA406DJ-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIA430DJT-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
SIA430DJT-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PMPB15XPH
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2950
ČÍSLO DIELU
PMPB15XPH-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQD50P04-13L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIHA2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
SQS401EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
