Výrobca Číslo produktu:
SIA4371EDJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIA4371EDJ-T1-GE3-DG
Popis:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventár:
5510 Ks Nové Originálne Na Sklade
12974690
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIA4371EDJ-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.4A (Ta), 9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR
742-SIA4371EDJ-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVTYS025P04M8LTWG
MV8 40V P-CH LL IN LFPAK
DI035N10PT
MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
PH6030DLBX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
