SIA440DJ-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIA440DJ-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIA440DJ-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventár:

37176 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918080
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIA440DJ-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základné číslo produktu
SIA440

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIA440DJ-T1-GE3TR
SIA440DJ-T1-GE3DKR
SIA440DJ-T1-GE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI7465DP-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4862DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 16V 17A 8SO

vishay-siliconix

SI5855CDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

vishay-siliconix

SIRA84DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8